对比图
型号 IRF252 JANTXV2N6766 2N6766
描述 High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series每N沟道MOSFET合格MIL -PRF-五百四十三分之一万九千五百 N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/543Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3Pin(2+Tab) TO-3
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
引脚数 - 3 2
封装 - TO-3 TO-204
安装方式 - Through Hole -
漏源极电阻 - - 0.085 Ω
耗散功率 - 4W (Ta), 150W (Tc) 150 W
阈值电压 - - 2 V
漏源极电压(Vds) - 200 V 200 V
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -
耗散功率(Max) - 4W (Ta), 150W (Tc) -
封装 - TO-3 TO-204
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 - Bulk -
RoHS标准 - Non-Compliant Non-Compliant
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
含铅标准 - Contains Lead -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -