VNV49N04和VNV49N0413TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 VNV49N04 VNV49N0413TR

描述 â ???? OMNIFETâ ???? :全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFETMOSFET OMNIFET 42V 49A POWERSO10

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 12 12

封装 PowerSO-10 PowerSO-10

输出接口数 1 1

输出电流(Max) 28 A 28 A

漏源极电阻 40.0 mΩ -

耗散功率 125 W -

漏源击穿电压 42.0 V -

连续漏极电流(Ids) 49.0 A -

封装 PowerSO-10 PowerSO-10

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead

ECCN代码 EAR99 EAR99

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