对比图
型号 FDS6375 TPS1100DRG4 NDS8434A
描述 ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDS6375, 8 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETSMOSFET P-CH 20V 7.8A 8-SOIC
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) TI (德州仪器) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
通道数 - 1 -
漏源极电阻 0.024 Ω 180 mΩ -
极性 - P-Channel -
耗散功率 2.5 W 791 mW 2.5W (Ta)
漏源极电压(Vds) 20 V 15 V 20 V
漏源击穿电压 - 15 V -
连续漏极电流(Ids) - 1.6A -
上升时间 9 ns 10 ns 38 ns
额定功率(Max) 1 W 791 mW -
下降时间 57 ns 10 ns 78 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 125 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 40 ℃ -55 ℃
输入电容(Ciss) 2694pF @10V(Vds) - 1730pF @10V(Vds)
耗散功率(Max) 2500 mW - 2.5W (Ta)
针脚数 8 - -
阈值电压 700 mV - -
长度 5 mm 4.9 mm -
宽度 4 mm 3.9 mm -
高度 1.5 mm 1.75 mm -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -40℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅