TPS1100DRG4中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 180 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 791 mW
漏源极电压Vds 15 V
漏源击穿电压 15 V
连续漏极电流Ids 1.6A
上升时间 10 ns
额定功率Max 791 mW
下降时间 10 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min 40 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.75 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
TPS1100DRG4引脚图与封装图 
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替代型号TPS1100DRG4
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