对比图
型号 FM25V05-G FM28V020-SG FM18W08-PG
描述 F-RAM，Cypress Semiconductor### FRAM（铁电 RAM）FRAM（铁电随机存取存储器）是非易失存储器，将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点，具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此，这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡，以及移动电话和其他设备。F-RAM，Cypress Semiconductor### FRAM（铁电 RAM）FRAM（铁电随机存取存储器）是非易失存储器，将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点，具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此，这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡，以及移动电话和其他设备。NVRAM FRAM Parallel 256Kbit 3.3V 28Pin PDIP
数据手册 ---
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)
分类 存储芯片存储芯片存储芯片
引脚数 8 28 28
封装 SOIC-8 SOIC-28 DIP
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
高度 1.478 mm 2.37 mm 4.95 mm
封装 SOIC-8 SOIC-28 DIP
长度 4.98 mm 18.11 mm -
宽度 3.987 mm 7.62 mm -
工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Tube Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -
供电电流 3 mA 12 mA -
针脚数 8 28 -
时钟频率 40 MHz 15 MHz -
存取时间 - 140 ns -
存取时间(Max) 9 ns 70 ns -
工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ -
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -
电源电压 2V ~ 3.6V 2V ~ 3.6V -
电源电压(Max) 3.6 V 3.6 V -
电源电压(Min) 2 V 2 V -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -