对比图
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS4935BZ. 场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, SOIC双P沟道增强型场效应晶体管 Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor双路30V P沟道PowerTrench MOSFET Dual 30V P-Channel PowerTrench MOSFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) -30.0 V -30.0 V -30.0 V
额定电流 -6.90 A -4.00 A -7.00 A
漏源极电阻 0.018 Ω 0.052 Ω 23.0 mΩ
极性 P-Channel Dual P-Channel, P-Channel P-Channel
耗散功率 1.6 W 2 W 2 W
输入电容 1.36 nF - 1.23 nF
栅电荷 40.0 nC - 15.0 nC
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
栅源击穿电压 ±25.0 V - ±25.0 V
连续漏极电流(Ids) -6.90 A -4.00 A 7.00 A
上升时间 13 ns 20 ns 10 ns
输入电容(Ciss) 1360pF @15V(Vds) 690pF @15V(Vds) 1233pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 900 mW 900 mW 2 W
下降时间 38 ns 19 ns 25 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
针脚数 8 - -
阈值电压 1.9 V - -
耗散功率(Max) 1600 mW - -
通道数 - 2 -
漏源击穿电压 - 30 V -
长度 5 mm 4.9 mm 4.9 mm
宽度 4 mm 3.9 mm 3.9 mm
高度 1.5 mm 1.75 mm 1.75 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99