对比图
型号 NTD20N06G NTD5867NLT4G NTD5867NL-1G
描述 ON SEMICONDUCTOR NTD20N06G 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 60 V, 37.5 mohm, 10 V, 2.91 VON SEMICONDUCTOR NTD5867NLT4G 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 60 V, 0.026 ohm, 10 V, 1.8 VON SEMICONDUCTOR NTD5867NL-1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 60 V, 0.026 ohm, 10 V, 1.8 V
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole
引脚数 3 3 4
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-251-3
针脚数 3 3 4
漏源极电阻 37.5 mΩ 0.026 Ω 0.026 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 60 W 36 W 36 W
阈值电压 2.91 V 1.8 V 1.8 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
上升时间 60.5 ns 12.6 ns 12.6 ns
输入电容(Ciss) 1015pF @25V(Vds) 675pF @25V(Vds) 675pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 1.36 W 36 W 36 W
下降时间 37.1 ns 2.4 ns 2.4 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1.88 W 36W (Tc) 36W (Tc)
额定电压(DC) 60.0 V - -
额定电流 20.0 A - -
输入电容 1.01 nF 675 pF -
栅电荷 30.0 nC - -
漏源击穿电压 60.0 V 60 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 20.0 A - -
通道数 - 1 -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-251-3
长度 - 6.73 mm -
宽度 - 6.22 mm -
高度 - 2.38 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Unknown
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - -
香港进出口证 - NLR -