2SK2882和FQPF16N15

对比图

型号 2SK2882 FQPF16N15 2SK360

描述 TO-220NIS N-CH 150V 18AQFET® N 通道 MOSFET，11A 至 30A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 150V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220F, 3 PIN

数据手册 ---

制造商 Toshiba (东芝) Fairchild (飞兆/仙童) FUJI (富士电机)

分类 MOS管MOS管

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 - 3 -

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220

长度 - 10.16 mm -

宽度 - 4.7 mm -

高度 - 9.19 mm -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube, Rail Tube -

额定电压(DC) - 150 V -

额定电流 - 16.4 A -

极性 N-CH N-CH -

耗散功率 - 53 W -

漏源极电压(Vds) 150 V 150 V -

连续漏极电流(Ids) 18A 11.6 A -

上升时间 - 115 ns -

输入电容(Ciss) - 910pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 53 W -

下降时间 - 80 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 53W (Tc) -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -