IRF3205S和STB150NF55T4

对比图

型号 IRF3205S STB150NF55T4 IRF3205STRRPBF

描述 Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3Pin(2+Tab) D2PAKSTMICROELECTRONICS  STB150NF55T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 55 V, 5 mohm, 10 V, 4 VTrans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)

分类 N沟道MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 D2PAK-263 TO-263-3 D2PAK-3

额定电压(DC) 55.0 V 55.0 V 55.0 V

额定电流 110 A 120 A 110 A

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 5 mΩ -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 200 W 300 W 200 W

阈值电压 - 4 V 2V ~ 4V

输入电容 3.25 nF 4400 pF 3.25 nF

漏源极电压(Vds) 55.0 V 55 V 55.0 V

漏源击穿电压 55.0 V 55 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 110 A 60.0 A 110 A

上升时间 101 ns 180 ns 101 ns

输入电容(Ciss) - 4400pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 300 W -

下降时间 - 80 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - 55 ℃ -

耗散功率(Max) - 300W (Tc) -

产品系列 IRF3205S - IRF3205S

栅电荷 146 nC - 146 nC

长度 - 10.4 mm -

宽度 - 9.35 mm -

高度 - 4.6 mm -

封装 D2PAK-263 TO-263-3 D2PAK-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -

香港进出口证 NLR - -