BSM100GB120DN2K和BSM300GB120DLC

对比图

型号 BSM100GB120DN2K BSM300GB120DLC B120

描述 IGBT功率模块（半桥包括快速续流二极管封装用绝缘金属基板） IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)IGBT 模块，Infineon **Infineon 封装类型包括：62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM IGBT 分立件和模块，Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。BREAKER 20A 1P 120V 10K BL

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Siemens Semiconductor (西门子)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Screw Screw -

引脚数 7 7 -

封装 34MM-1 62MM-1 -

耗散功率 700 W 2500 W -

工作温度(Max) 150 ℃ 125 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

耗散功率(Max) 700000 mW 2.5 kW -

击穿电压(集电极-发射极) 1.20 kV - -

长度 94 mm 106.4 mm -

宽度 34 mm 61.4 mm -

高度 30.5 mm 29 mm -

封装 34MM-1 62MM-1 -

产品生命周期 Not Recommended Not Recommended for New Design Obsolete

包装方式 - Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -