对比图
型号 NTJD1155LT1 NTJD1155LT1G
描述 SC-88 N+P 8VON SEMICONDUCTOR NTJD1155LT1G 场效应管, MOSFET, P沟道, -8V, SC-88
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
封装 SC-88-6 SC-88-6
引脚数 - 6
额定电压(DC) -8.00 V -
额定电流 -1.30 A 630 mA
漏源极电阻 260 mΩ 0.175 Ω
极性 P-Channel P-Channel
耗散功率 400 mW 400 mW
漏源极电压(Vds) 8 V 8 V
栅源击穿电压 1.00 V 1.00 V
连续漏极电流(Ids) -1.30 A to 1.30 A 1.30 A
额定功率(Max) 400 mW 400 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
输出接口数 - 1
输出电流 - 1 A
通道数 - 2
针脚数 - 6
阈值电压 - 1 V
输入电压(Min) - 1.8 V
输出电流(Min) - 1 A
耗散功率(Max) - 400 mW
输入电压 - 8 V
长度 2 mm 2.2 mm
宽度 1.25 mm 1.25 mm
高度 0.9 mm 1 mm
封装 SC-88-6 SC-88-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99
香港进出口证 - NLR