对比图
型号 MMBT918 MPS3563G MPSH10RLRPG
描述 t-Npn Si- Vhf放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistors NPN SiliconVHF / UHF晶体管NPN硅 VHF/UHF Transistors NPN Silicon
数据手册 ---
制造商 NTE Electronics ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 分立器件双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 - Through Hole Through Hole
引脚数 - - 3
封装 - TO-226-3 TO-92-3
频率 - - 650 MHz
额定电压(DC) - 12.0 V 25.0 V
额定电流 - 50.0 mA 4.00 mA
极性 - N-Channel NPN
耗散功率 - 850 mW 350 W
击穿电压(集电极-发射极) - 12 V 25 V
最小电流放大倍数(hFE) - 20 @8mA, 10V 60 @4mA, 10V
额定功率(Max) - 350 W 350 mW
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
耗散功率(Max) - - 350000 mW
长度 - - 5.2 mm
宽度 - - 4.19 mm
高度 - - 5.33 mm
封装 - TO-226-3 TO-92-3
材质 - - Silicon
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Unknown
包装方式 - Bulk Tape & Box (TB)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
ECCN代码 - - EAR99