对比图
描述 TO-3 PNP 60V 12A达林顿晶体管 Power BJTPNP达林顿功率硅晶体管 PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR
数据手册 ---
制造商 Central Semiconductor Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-3 TO-3 TO-3
工作温度(Max) 200 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 150000 mW 150000 mW 150000 mW
极性 PNP - -
耗散功率 150000 mW 150000 mW -
击穿电压(集电极-发射极) 60 V 100 V -
集电极最大允许电流 12A - -
增益带宽 4MHz (Min) - -
最小电流放大倍数(hFE) - 1000 @6A, 3V -
额定功率(Max) - 150 W -
封装 TO-3 TO-3 TO-3
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Sleeve Tray Tray
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 - -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -