MMBTA43LT1和MMBTA43LT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBTA43LT1 MMBTA43LT1G MMBTA43-TP

描述 高压晶体管( NPN硅) High Voltage Transistors(NPN Silicon)高电压晶体管 High Voltage TransistorsSOT-23 NPN 200V

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Micro Commercial Components (美微科)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23

额定电压(DC) 200 V 200 V -

额定电流 500 mA 500 mA -

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 200 V 200 V 200 V

集电极最大允许电流 0.05A 0.5A -

最小电流放大倍数(hFE) 40 @30mA, 10V 40 @30mA, 10V -

额定功率(Max) 225 mW 225 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 300 mW 300 mW

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23

材质 - Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -

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