MMBF0202PLT1和NTR0202PLT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBF0202PLT1 NTR0202PLT1G MMBF0202PLT1G

描述 功率MOSFET 300毫安, 20伏 Power MOSFET 300 mAmps, 20 VoltsON SEMICONDUCTOR  NTR0202PLT1G  晶体管, MOSFET, P沟道, 400 mA, -20 V, 800 mohm, -10 V, -1.9 VTrans MOSFET P-CH 20V 0.3A 3Pin SOT-23 T/R

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 晶体管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 - 3 -

封装 SOT-23 SOT-23-3 CASE 318-08

额定电压(DC) -20.0 V -20.0 V -

额定电流 -300 mA -400 mA -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.8 Ω -

极性 - P-Channel -

耗散功率 - 225 mW -

漏源极电压(Vds) 20.0 V 20 V -

漏源击穿电压 - 20 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 300 mA 400 mA -

上升时间 1.00 ns 6 ns -

正向电压(Max) - 1 V -

输入电容(Ciss) - 70pF @5V(Vds) -

额定功率(Max) - 225 mW -

下降时间 - 4 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 225 mW -

长度 - 3.04 mm -

宽度 - 1.4 mm -

高度 - 1.01 mm -

封装 SOT-23 SOT-23-3 CASE 318-08

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -

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