对比图
型号 IRFR9024NPBF IRFR9024NTRPBF IRFR9014PBF
描述 P 通道功率 MOSFET 超过 8A，InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。INFINEON IRFR9024NTRPBF 场效应管, MOSFET, P沟道VISHAY IRFR9014PBF 场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, 5.1A, D-PAK
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252
额定电压(DC) - - -60.0 V
额定电流 - - -5.10 A
额定功率 38 W 38 W 25 W
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.175 Ω 0.175 Ω 0.5 Ω
极性 P-Channel P-CH P-Channel
耗散功率 38 W 38 W 25 W
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 60 V
漏源击穿电压 - 55 V -60.0 V
连续漏极电流(Ids) 11A 11A -5.10 A
上升时间 55 ns 55 ns 63.0 ns
输入电容(Ciss) 350pF @25V(Vds) 350pF @25V(Vds) 270pF @25V(Vds)
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 38W (Tc) 38W (Tc) 2.5 W
阈值电压 4 V 4 V -
输入电容 350 pF 350 pF -
反向恢复时间 47 ns - -
正向电压(Max) 1.6 V - -
额定功率(Max) 38 W 38 W -
下降时间 37 ns 37 ns -
工作结温 -55℃ ~ 150℃ - -
通道数 - 1 -
长度 6.73 mm 6.73 mm 6.73 mm
宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm
高度 2.39 mm 2.39 mm 2.38 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
材质 Silicon Silicon -
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -