对比图
型号 STB30NM60N STI30NM60N IPW60R125CP
描述 N沟道600 V ， 0.1 Ω ， 25 A ，的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 ， TO- 220FP ， TO- 247 ， D2PAK ， I2PAK N-channel 600 V, 0.1 Ω, 25 A, MDmesh? II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, TO-247, D2PAK, I2PAKN沟道600 V ， 0.1 Ω ， 25 A ，的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 ， TO- 220FP ， TO- 247 ， D2PAK ， I2PAK N-channel 600 V, 0.1 Ω, 25 A, MDmesh? II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, TO-247, D2PAK, I2PAKINFINEON IPW60R125CP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 25 A, 650 V, 0.11 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole
引脚数 - - 3
封装 TO-263-3 TO-262-3 TO-247-3
额定电压(DC) - - 600 V
额定电流 - - 25.0 A
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 0.11 Ω
极性 N-CH N-CH N-Channel
耗散功率 190W (Tc) 190W (Tc) 208 W
阈值电压 - - 3 V
输入电容 - - 2.50 nF
栅电荷 - - 70.0 nC
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 25A 25A 25.0 A
上升时间 - - 5 ns
输入电容(Ciss) 2700pF @50V(Vds) 2700pF @50V(Vds) 2500pF @100V(Vds)
额定功率(Max) - - 208 W
下降时间 - - 5 ns
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
耗散功率(Max) 190W (Tc) 190W (Tc) 208W (Tc)
长度 - - 16.13 mm
宽度 - - 5.21 mm
高度 - - 21.1 mm
封装 TO-263-3 TO-262-3 TO-247-3
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Obsolete Not Recommended
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17