MC33152D和TC4426EOA

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MC33152D TC4426EOA MC33152DR2G

描述 MOSFET驱动器MICROCHIP  TC4426EOA  双功率驱动器, 低压侧, 4.5V-18V电源, 1.5A输出, 40ns延迟, SOIC-8ON SEMICONDUCTOR  MC33152DR2G  MOSFET Driver, 6.1V-18V supply, SOIC-8 新

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Microchip (微芯) ON Semiconductor (安森美)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 18.0V (max) 4.50V (min) 18.0V (max)

工作电压 - 4.5V ~ 18V 6.1V ~ 18V

上升/下降时间 36ns, 32ns 19 ns 36ns, 32ns

输出接口数 2 2 2

输出电压 - 18.0 V -

输出电流 - 1.5 A -

供电电流 - 4.50 mA -

通道数 - 2 -

针脚数 - 8 8

耗散功率 560 mW 0.47 W 0.56 W

上升时间 36 ns 40ns (Max) 36 ns

下降时间 32 ns 40ns (Max) 32 ns

下降时间(Max) - 30 ns -

上升时间(Max) - 30 ns -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) - 470 mW 560 mW

电源电压 6.1V ~ 18V 4.5V ~ 18V 6.1V ~ 18V

电源电压(Max) - 18 V 18 V

电源电压(Min) - 4.5 V 6.1 V

无卤素状态 - - Halogen Free

输出电流(Max) - - 1.5 A

长度 - 4.9 mm 5 mm

宽度 - 3.91 mm 4 mm

高度 - 1.42 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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