BDX66C和MJ2501

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BDX66C MJ2501 MJ15015G

描述 Bipolar (BJT) Single Transistor, Darlington, PNP, -120V, 7MHz, 150W, -16A, 1000 hFEMULTICOMP  MJ2501  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 80 V, 150 W, 10 A, 1000 hFENPN 功率晶体管,ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管

数据手册 ---

制造商 Semelab Multicomp ON Semiconductor (安森美)

分类 晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 2

封装 TO-3 TO-3 TO-204-2

频率 - - 6 MHz

额定电压(DC) - - 120 V

额定电流 - - 15.0 A

针脚数 - 2 2

极性 PNP PNP NPN

耗散功率 150 W 150 W 180 W

增益频宽积 - - 6 MHz

击穿电压(集电极-发射极) - - 120 V

热阻 - - 1.52℃/W (RθJC)

集电极最大允许电流 - - 15A

最小电流放大倍数(hFE) - - 10 @4A, 2V

最大电流放大倍数(hFE) - - 70

额定功率(Max) - - 180 W

直流电流增益(hFE) 1000 1000 70

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

耗散功率(Max) - - 180 W

长度 - - 39.37 mm

宽度 - - 26.67 mm

高度 - - 8.51 mm

封装 TO-3 TO-3 TO-204-2

材质 - - Silicon

工作温度 - - -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 - - Active

包装方式 - - Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - - Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2016/06/20

ECCN代码 - - EAR99

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