BC212和BC307BRL1G

对比图

型号 BC212 BC307BRL1G BC212B

描述 流程63 PNP中功率 Process 63 PNP Medium Power放大器晶体管PNP硅 Amplifier Transistors PNP Silicon0.35W General Purpose PNP Plastic Leaded Transistor. 50V Vceo, 0.1A Ic, 40 - hF

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Continental Device

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-92-3 TO-92-3 -

引脚数 - 3 -

额定电压(DC) -50.0 V -45.0 V -

额定电流 -300 mA -100 mA -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 45 V -

最小电流放大倍数(hFE) 60 @2mA, 5V 200 @2mA, 5V -

额定功率(Max) 625 mW 350 mW -

频率 - 280 MHz -

极性 - PNP -

耗散功率 - 350 mW -

增益频宽积 - 280 MHz -

集电极最大允许电流 - 0.1A -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 350 mW -

封装 TO-92-3 TO-92-3 -

长度 - 5.2 mm -

宽度 - 4.19 mm -

高度 - 5.33 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

材质 - Silicon -

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -