对比图
型号 NTD5865NLT4G NTD5865NT4G IRLU2905ZPBF
描述 ON SEMICONDUCTOR NTD5865NLT4G 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 60 V, 0.013 ohm, 10 V, 1 VN 通道功率 MOSFET，60V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON SemiconductorINFINEON IRLU2905ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 55 V, 11 mohm, 10 V, 1 V
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-251-3
通道数 - 1 -
耗散功率 52 W 71 W 110 W
阈值电压 1 V 2V ~ 4V 1 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 55 V
上升时间 12.4 ns 17 ns 130 ns
输入电容(Ciss) 1400pF @25V(Vds) 1261pF @25V(Vds) 1570pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 52 W 52 W 110 W
下降时间 4.4 ns 3.5 ns 33 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 71W (Tc) 71W (Tc) 110W (Tc)
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.013 Ω - 0.011 Ω
极性 N-Channel - N-Channel
输入电容 1.4 nF - -
额定功率 - - 110 W
连续漏极电流(Ids) - - 60A
长度 6.73 mm 6.73 mm 6.73 mm
宽度 6.22 mm 6.22 mm 2.39 mm
高度 2.38 mm 2.38 mm 7.49 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-251-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2016/06/20 - 2015/12/17