NTJD1155LT1G和NTLJD2105LTBG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NTJD1155LT1G NTLJD2105LTBG NTJD1155LT1

描述 ON SEMICONDUCTOR  NTJD1155LT1G  场效应管, MOSFET, P沟道, -8V, SC-884.3A,-8V功率MOSFETSC-88 N+P 8V

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SC-88-6 WDFN-6 SC-88-6

引脚数 6 - -

额定电压(DC) - - -8.00 V

额定电流 630 mA - -1.30 A

漏源极电阻 0.175 Ω 33 mΩ 260 mΩ

极性 P-Channel N-Channel, P-Channel P-Channel

耗散功率 400 mW 520 mW 400 mW

漏源极电压(Vds) 8 V 8 V 8 V

栅源击穿电压 1.00 V - 1.00 V

连续漏极电流(Ids) 1.30 A 4.30 A -1.30 A to 1.30 A

额定功率(Max) 400 mW 520 mW 400 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

输出接口数 1 - -

输出电流 1 A - -

通道数 2 2 -

针脚数 6 - -

阈值电压 1 V - -

输入电压(Min) 1.8 V - -

输出电流(Min) 1 A - -

耗散功率(Max) 400 mW - -

输入电压 8 V - -

漏源击穿电压 - ±6 V -

长度 2.2 mm 2 mm 2 mm

宽度 1.25 mm 2 mm 1.25 mm

高度 1 mm 0.75 mm 0.9 mm

封装 SC-88-6 WDFN-6 SC-88-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - EAR99

香港进出口证 NLR - -

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