AUR500和MS2200

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AUR500 MS2200 SD1565

描述 RF Power Bipolar Transistor, 1Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.4INCH, FM-4RF Power Bipolar Transistor, 1Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.400 X 0.5INCH, HERMETIC SEALED, M102, 4Pin射频与微波晶体管超高频脉冲应用 RF & MICROWAVE TRANSISTORS UHF PULSED APPLICATIONS

数据手册 ---

制造商 Advanced Semiconductor Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Screw -

引脚数 - 5 -

封装 - M-102 -

耗散功率 - 1167000 mW -

击穿电压(集电极-发射极) - 65 V -

增益 - 9.7 dB -

最小电流放大倍数(hFE) - 20 @5A, 5V -

额定功率(Max) - 1167 W -

工作温度(Max) - 200 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 1167000 mW -

封装 - M-102 -

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 - Bulk -

RoHS标准 - RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -

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