对比图



型号 AUR500 MS2200 SD1565
描述 RF Power Bipolar Transistor, 1Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.4INCH, FM-4RF Power Bipolar Transistor, 1Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.400 X 0.5INCH, HERMETIC SEALED, M102, 4Pin射频与微波晶体管超高频脉冲应用 RF & MICROWAVE TRANSISTORS UHF PULSED APPLICATIONS
数据手册 ---
制造商 Advanced Semiconductor Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 双极性晶体管
安装方式 - Screw -
引脚数 - 5 -
封装 - M-102 -
耗散功率 - 1167000 mW -
击穿电压(集电极-发射极) - 65 V -
增益 - 9.7 dB -
最小电流放大倍数(hFE) - 20 @5A, 5V -
额定功率(Max) - 1167 W -
工作温度(Max) - 200 ℃ -
工作温度(Min) - -65 ℃ -
耗散功率(Max) - 1167000 mW -
封装 - M-102 -
材质 - Silicon -
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 - Bulk -
RoHS标准 - RoHS Compliant -
含铅标准 - Lead Free -