对比图
型号 IPS1011RPBF VND7NV04-E VND1NV04TR-E
描述 Power Switch Lo Side 6A 3Pin(2+Tab) DPAK TubeSTMICROELECTRONICS VND7NV04-E 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 55 V, 60 mohm, 5 V, 2.5 VOMNIFET 全自动保护功率 MOSFET，STMicroelectronicsOMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器，根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载，尤其是汽车环境。线性电流限制 热关闭 短路保护 ESD 保护 一体式夹 ### 智能电源开关，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 FET驱动器MOS管FET驱动器
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 3
额定功率 2.5 W 60 W 35 W
输出接口数 1 1 1
输出电流 6 A 6 A 1.7 A
耗散功率 2.5 W 60 W 35 W
输出电流(Max) 6 A 6 A 1.7 A
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ - -40 ℃
电源电压 4.5V ~ 5.5V - -
电源电压(Max) 5.5 V - -
电源电压(Min) 4.5 V - -
输入电压 4.5V ~ 5.5V - -
供电电流 - 0.1 mA 0.1 mA
通道数 - 1 1
漏源极电阻 - 0.06 Ω 0.25 Ω
极性 - N-Channel N-Channel
阈值电压 - 2.5 V 2.5 V
漏源极电压(Vds) - 55 V 55 V
漏源击穿电压 - 40.0 V 40.0 V
连续漏极电流(Ids) - 6.00 A 500 mA
上升时间 - - 500 ns
输出电流(Min) - 6 A 1.7 A
输入数 - 1 1
下降时间 - - 600 ns
耗散功率(Max) - 60000 mW 35000 mW
输出电压 - 40 V -
针脚数 - 3 -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
长度 - - 6.6 mm
宽度 - - 6.2 mm
高度 - 2.4 mm 2.4 mm
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
产品生命周期 - Active Unknown
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 EAR99