对比图
描述 500V N沟道MOSFET改进dv / dt能力 500V N-Channel MOSFET Improved dv/dt capabilitySTMICROELECTRONICS STP11NK50ZFP 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 500 V, 520 mohm, 10 V, 3.75 V
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3
通道数 1 1
针脚数 - 3
漏源极电阻 610 mΩ 0.52 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 48 W 30 W
阈值电压 - 3.75 V
输入电容 2.10 nF 1390 pF
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V
漏源击穿电压 500 V 500 V
连续漏极电流(Ids) 10.0 A 10.0 A
上升时间 80 ns 18 ns
输入电容(Ciss) 2096pF @25V(Vds) 1390pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 48 W 30 W
下降时间 80 ns 15 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 48W (Tc) 30000 mW
额定电压(DC) 500 V -
额定电流 10.0 A -
栅电荷 56.0 nC -
栅源击穿电压 ±30.0 V -
长度 10.36 mm 10.4 mm
宽度 4.9 mm 4.6 mm
高度 15.87 mm 9.3 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99