对比图
型号 PEMD16 PUMD16,115 PEMD16,115
描述 NPN / PNP电阻配备晶体管R1 = 22千瓦， R2 = 47千瓦 NPN/PNP resistor-equipped transistors R1 = 22 kW, R2 = 47 kWNexperia PUMD16,115 双 NPN + PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 22 kΩ, 电阻比:0.47, 6引脚 UMT封装Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 6Pin SOT-666 T/R
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) Nexperia (安世) NXP (恩智浦)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6 6
封装 SOT-666 SC-70-6 SOT-666-6
耗散功率 - 0.3 W 0.3 W
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V
最小电流放大倍数(hFE) - 80 @5mA, 5V 80 @5mA, 5V
额定功率(Max) - 300 mW 300 mW
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) - 300 mW 300 mW
极性 NPN+PNP - -
集电极最大允许电流 100mA - -
高度 - 1 mm 0.6 mm
封装 SOT-666 SC-70-6 SOT-666-6
长度 - 2.2 mm -
宽度 - 1.35 mm -
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - 无铅 Lead Free
工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -
ECCN代码 - EAR99 -