对比图



型号 APT6029BFLLG STW21NM60ND APT6029BLLG
描述 TO-247 N-CH 600V 21ASTMICROELECTRONICS STW21NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 4 V功率MOS 7 MOSFETc POWER MOS 7 MOSFETc
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体) Microsemi (美高森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 -
封装 TO-247 TO-247-3 TO-247-3
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 0.17 Ω -
极性 N-CH N-Channel N-CH
耗散功率 300 W 140 W 300 W
阈值电压 - 4 V -
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
上升时间 5 ns 16 ns -
输入电容(Ciss) 2615pF @25V(Vds) 1800pF @50V(Vds) -
额定功率(Max) - 140 W -
下降时间 4 ns 48 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 300000 mW 140W (Tc) -
额定电压(DC) 600 V - 600 V
额定电流 21.0 A - 21.0 A
输入电容 2.61 nF - 2.61 nF
栅电荷 65.0 nC - 65.0 nC
连续漏极电流(Ids) 21.0 A - 21.0 A
长度 - 15.75 mm -
宽度 - 5.15 mm -
高度 - 20.15 mm -
封装 TO-247 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 - 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 -