FDG311N和FDG327N

对比图

型号 FDG311N FDG327N FDG327NZ

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDG311N..  场效应管, MOSFET, N沟道, 20V, 1.9A, SC-70ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDG327N, 1.5 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363 (SC-70)封装FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDG327NZ  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 20 V, 0.068 ohm, 4.5 V, 700 mV

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6

额定电压(DC) 20.0 V - 20.0 V

额定电流 1.90 A - 1.50 A

针脚数 6 6 6

漏源极电阻 0.115 Ω 0.057 Ω 0.068 Ω

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 750 mW 0.42 W 420 mW

阈值电压 900 mV 700 mV 700 mV

输入电容 270 pF - 412 pF

栅电荷 3.00 nC - 4.20 nC

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

漏源击穿电压 20.0 V - 20.0 V

栅源击穿电压 ±8.00 V - ±8.00 V

连续漏极电流(Ids) 1.90 A - 1.50 A

上升时间 9 ns 6.5 ns 12 ns

输入电容(Ciss) 270pF @10V(Vds) 423pF @10V(Vds) 412pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 480 mW 380 mW 380 mW

下降时间 2 ns 2 ns 18 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 750mW (Ta) 420 mW 420mW (Ta)

长度 2 mm 2 mm 2 mm

宽度 1.25 mm 1.25 mm 1.25 mm

高度 1 mm 1 mm 1 mm

封装 SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - EAR99