SPP15N60CFD和STF21NM60ND

对比图

型号 SPP15N60CFD STF21NM60ND STI15NM60ND

描述 的CoolMOS功率晶体管 CoolMOS Power TransistorSTMICROELECTRONICS  STF21NM60ND  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 4 VN沟道600 V - 0.27 Ω - 14 A - FDmesh ™II功率MOSFET采用D2PAK ， I2PAK ， TO- 220 ， TO- 220FP ， TO- 247 N-channel 600 V - 0.27 Ω - 14 A - FDmesh™ II Power MOSFET D2PAK, I2PAK, TO-220, TO-220FP, TO-247

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-262-3

引脚数 - 3 -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 156 W 30 W 125W (Tc)

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 13.4A 17A 14A

输入电容(Ciss) 1820pF @25V(Vds) 1800pF @50V(Vds) 1250pF @50V(Vds)

耗散功率(Max) - 30W (Tc) 125W (Tc)

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.17 Ω -

阈值电压 - 4 V -

上升时间 24 ns 16 ns -

额定功率(Max) 156 W 30 W -

下降时间 5 ns 48 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

通道数 1 - -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-262-3

长度 10 mm 10.4 mm -

宽度 4.4 mm 4.6 mm -

高度 15.65 mm 16.4 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -