对比图
型号 BSC025N03MS G FDMS8660S FDMS7670
描述 INFINEON BSC025N03MS G 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 2.1 mohm, 10 V, 1 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS8660S 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 2.4 mohm, 10 V, 1.5 VPowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 PG-TSDSON Power-56 Power-56
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 2.1 mΩ 2.4 mΩ 0.0029 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 83 W 83 W 62 W
阈值电压 1 V 1.5 V 1.9 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) - 25.0 A 21A
上升时间 3 ns 12.0 ns 6 ns
输入电容(Ciss) 5700pF @15V(Vds) 4345pF @15V(Vds) 4105pF @15V(Vds)
额定功率(Max) - 2.5 W 2.5 W
下降时间 2.4 ns - 5 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 83 W 2.5W (Ta), 83W (Tc) 62 W
额定电压(DC) - 30.0 V -
额定电流 - 40.0 A -
输入电容 - 4.34 nF -
栅电荷 - 113 nC -
漏源击穿电压 - 30.0 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
长度 5.35 mm - 5 mm
宽度 6.1 mm - 6 mm
高度 1.1 mm - 1.05 mm
封装 PG-TSDSON Power-56 Power-56
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/06/15
ECCN代码 - EAR99 -