对比图



型号 IXFN100N50P STE53NC50 VMO80-05P1
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXFN100N50P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 100 A, 500 V, 49 mohm, 10 V, 5 VSTMICROELECTRONICS STE53NC50 晶体管, MOSFET, N沟道, 53 A, 500 V, 80 mohm, 10 V, 3 VMosfet n-Ch Eco-Pac2
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Chassis Surface Mount Chassis
封装 SOT-227-4 ISOTOP-4 ECO-PAC2
引脚数 4 4 -
耗散功率 1.04 kW 460 W -
额定功率 1.04 kW 460 W -
通道数 1 1 -
针脚数 4 4 -
漏源极电阻 0.049 Ω 0.08 Ω -
极性 N-Channel N-Channel -
阈值电压 5 V 3 V -
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V -
漏源击穿电压 500 V 500 V -
连续漏极电流(Ids) 100 A 53.0 A -
上升时间 29 ns 70 ns -
输入电容(Ciss) 20000pF @25V(Vds) 11200pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) 1040 W 460 W -
下降时间 26 ns 38 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) 55 ℃ -65 ℃ -
耗散功率(Max) 1040W (Tc) 460W (Tc) -
额定电压(DC) - 500 V -
额定电流 - 53.0 A -
栅源击穿电压 - ±30.0 V -
隔离电压 - 2.50 kV -
封装 SOT-227-4 ISOTOP-4 ECO-PAC2
长度 38.23 mm 38.2 mm -
宽度 25.42 mm 25.5 mm -
高度 9.6 mm 9.1 mm -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -
ECCN代码 - EAR99 -