BSC025N03LSGATMA1和BSC024N025S G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSC025N03LSGATMA1 BSC024N025S G BSC0902NSATMA1

描述 INFINEON  BSC025N03LSGATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 0.0021 ohm, 10 V, 2.2 VMOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8INFINEON  BSC0902NSATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 0.0022 ohm, 10 V, 1.2 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

引脚数 8 - 8

封装 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8 TDSON-8

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

额定功率 83 W - 48 W

针脚数 8 - 8

漏源极电阻 0.0021 Ω - 0.0022 Ω

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 83 W 2.8W (Ta), 89W (Tc) 48 W

阈值电压 2.2 V - 1.2 V

漏源极电压(Vds) 30 V 25 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 100A 100 A 24A

上升时间 6.2 ns - 5.2 ns

输入电容(Ciss) 6100pF @15V(Vds) 6530pF @15V(Vds) 1700pF @15V(Vds)

下降时间 6 ns - 3.6 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 83W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2500 mW

额定电压(DC) - 25.0 V -

额定电流 - 100 A -

输入电容 - 6.53 nF -

栅电荷 - 52.0 nC -

长度 - - 5.9 mm

宽度 - - 5.15 mm

高度 - - 1.27 mm

封装 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8 TDSON-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

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