对比图
型号 FDMC6679AZ FDMC7672S FDMC7692
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMC6679AZ 晶体管, MOSFET, P沟道, -20 A, -30 V, 0.0086 ohm, -10 V, -1.8 VPowerTrench® SyncFET™ MOSFET，Fairchild Semiconductor设计用于尽量减少功率转换的损耗，同时保持极佳的切换性能 高性能通道技术，RDS（接通）极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管 应用：同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关 ### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。PowerTrench® N 通道 MOSFET，10A 至 19.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 Power-33-8 Power-33-8 PowerWDFN-8
漏源极电阻 0.0086 Ω 0.005 Ω 0.0072 Ω
极性 P-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 41 W 36 W 29 W
阈值电压 1.8 V 1.6 V 1.9 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 11.5A 14.8A 13.3A
上升时间 14 ns 4 ns 4 ns
输入电容(Ciss) 3970pF @15V(Vds) 2520pF @15V(Vds) 1680pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 2.3 W 2.3 W 2.3 W
下降时间 46 ns 3 ns 3 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.3W (Ta), 41W (Tc) 2.3W (Ta), 36W (Tc) 2.3W (Ta), 29W (Tc)
通道数 1 - -
针脚数 8 - -
漏源击穿电压 30 V - -
长度 3.3 mm 3.3 mm 3.3 mm
宽度 3.3 mm 3.3 mm 3.3 mm
高度 0.75 mm 0.75 mm 0.75 mm
封装 Power-33-8 Power-33-8 PowerWDFN-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/06/15
香港进出口证 NLR - -