对比图
型号 BSS123 BSS123LT1 BSS123 L6327
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS123 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 V小信号N沟道SOT23封装场效应管INFINEON BSS123 L6327 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 3 ohm, 10 V, 1.4 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
引脚数 3 - 3
额定电压(DC) 100 V 100 V 100 V
额定电流 170 mA 170 mA 170 mA
漏源极电阻 1.2 Ω 6.00 Ω 3 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 360 mW 225 mW 360 mW
输入电容 73.0 pF 20.0 pF 1.20 nF
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 100 V 100 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 170 mA 170 mA 11.6 A
输入电容(Ciss) 73pF @25V(Vds) 20pF @25V(Vds) 69pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 360 mW 225 mW 360 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 0.36 W 225mW (Ta) 360 mW
针脚数 3 - 3
阈值电压 1.7 V - 1.4 V
栅电荷 2.50 nC - 49.0 nC
上升时间 9 ns - 3.1 ns
下降时间 2.4 ns - 25 ns
额定功率 250 mW - -
通道数 1 - -
长度 2.92 mm 2.9 mm 2.9 mm
宽度 1.3 mm 1.3 mm 1.3 mm
高度 0.93 mm 0.94 mm 1.1 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Unknown -
包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 -