对比图
型号 IPP100N08N3GXKSA1 IPP070N08N3 G
描述 Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP100N08N3GXKSA1, 70 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-220-3
引脚数 3 -
耗散功率 100 W 136W (Tc)
漏源极电压(Vds) 80 V 80 V
输入电容(Ciss) 2410pF @40V(Vds) 3840pF @40V(Vds)
耗散功率(Max) 100W (Tc) 136W (Tc)
额定功率 100 W -
针脚数 3 -
漏源极电阻 0.0084 Ω -
极性 N-Channel -
阈值电压 2.8 V -
连续漏极电流(Ids) 70A -
上升时间 46 ns -
额定功率(Max) 100 W -
下降时间 5 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -
封装 TO-220-3 TO-220-3
长度 10.36 mm -
宽度 4.57 mm -
高度 15.95 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 -