IPP070N08N3 G

IPP070N08N3 G图片1
IPP070N08N3 G概述

MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3

通孔 N 通道 80A(Tc) 136W(Tc) PG-TO220-3


得捷:
MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3


IPP070N08N3 G中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 136W Tc

漏源极电压Vds 80 V

输入电容Ciss 3840pF @40VVds

耗散功率Max 136W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPP070N08N3 G
型号: IPP070N08N3 G
描述:MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
替代型号IPP070N08N3 G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IPP070N08N3 G

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

IPP057N08N3GXKSA1

英飞凌

类似代替

IPP070N08N3 G和IPP057N08N3GXKSA1的区别

IPP100N08N3GXKSA1

英飞凌

类似代替

IPP070N08N3 G和IPP100N08N3GXKSA1的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台