对比图
型号 IXFP4N60P3 IXFY4N60P3 TK4P60DA
描述 N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备DPAK N-CH 600V 4ATOSHIBA TK4P60DA 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 600 V, 1.7 ohm, 10 V, 2.4 V
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Toshiba (东芝)
分类 MOS管MOS管中高压MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-252-3 TO-252
耗散功率 114W (Tc) 114W (Tc) 35 W
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
输入电容(Ciss) 365pF @25V(Vds) 365pF @25V(Vds) -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 114W (Tc) 114W (Tc) -
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - 2.2 Ω 1.7 Ω
极性 - N-CH N-Channel
阈值电压 - - 2.4 V
连续漏极电流(Ids) - 4A 3.5A
漏源击穿电压 - 600 V -
上升时间 - 24 ns -
下降时间 - 23 ns -
长度 10.66 mm - -
宽度 4.83 mm - -
高度 16 mm - -
封装 TO-220-3 TO-252-3 TO-252
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Active End of Life Active
包装方式 Tube Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15