对比图
型号 STP12NK60Z STP19NM50N STP10NM60ND
描述 N沟道600V - 0.53欧姆 - 10A TO- 220 / TO- 220FP齐纳保护SuperMESH⑩MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.53 Ohm - 10A TO-220 / TO-220FP Zener-Protected SuperMESH?MOSFETN 通道 MDmesh™，500V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STP10NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 600 V, 0.57 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 600 V - -
额定电流 10.0 A - -
通道数 1 - -
漏源极电阻 530 mΩ 0.2 Ω 0.57 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 150 W 110 W 70 W
阈值电压 3.75 V 3 V 4 V
输入电容 1.74 nF - -
栅电荷 59.0 nC - -
漏源极电压(Vds) 600 V 500 V 600 V
漏源击穿电压 600 V - -
栅源击穿电压 ±30.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 10.0 A - -
上升时间 18.5 ns 16 ns 10 ns
输入电容(Ciss) 1740pF @25V(Vds) 1000pF @50V(Vds) 577pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 150 W 110 W 70 W
下降时间 31.5 ns 17 ns 9.8 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 150W (Tc) 110W (Tc) 70W (Tc)
针脚数 - 3 3
长度 10.4 mm 10.4 mm 10.4 mm
宽度 4.6 mm 4.6 mm 4.6 mm
高度 9.15 mm 15.75 mm 15.75 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99