PBSS4021PT和PBSS4041NT

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PBSS4021PT PBSS4041NT FMMT718

描述 PNP 晶体管,NXP一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管,NXP Semiconductors低饱和电压 NPN 晶体管,Nexperia一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管,NexperiaDIODES INC.  FMMT718  单晶体管 双极, PNP, 20 V, 180 MHz, 625 mW, -1.5 A, 475 hFE

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Nexperia (安世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23 SOT-23 SOT-23

额定功率 - - 625 mW

极性 PNP - PNP, P-Channel

耗散功率 390 mW - 625 mW

直流电流增益(hFE) 320 - 475

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

最小电流放大倍数(hFE) 30 30 -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 1100 mW 1.1 W -

频率 155 MHz - -

针脚数 3 - -

击穿电压(集电极-发射极) 20 V - -

集电极最大允许电流 3.5A - -

封装 SOT-23 SOT-23 SOT-23

长度 3 mm 3 mm -

宽度 1.4 mm 1.4 mm -

高度 1.1 mm 1.1 mm -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

含铅标准 Lead Free PB free -

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