对比图
型号 STI21N65M5 STP11N65M5 STU5N95K3
描述 N沟道650 V， 0.150 I© ， 17的MDmeshâ ?? ¢ V功率MOSFET D²PAK ， TO- 220FP ， TO- 220 ， I²PAK ， TO- 247 N-channel 650 V, 0.150 Ω, 17 A MDmesh⢠V Power MOSFET D²PAK, TO-220FP, TO-220, I²PAK, TO-247N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STU5N95K3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 950 V, 3 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-262-3 TO-220-3 TO-251-3
通道数 - 1 -
漏源极电阻 0.15 Ω 480 mΩ 3 Ω
耗散功率 125 W 85 W 90 W
漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 950 V
漏源击穿电压 - 650 V 950 V
输入电容(Ciss) 1950pF @100V(Vds) 644pF @100V(Vds) 460pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 125 W 85 W -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 125W (Tc) 85W (Tc) 90W (Tc)
极性 N-Channel - N-Channel
阈值电压 4 V - 4 V
连续漏极电流(Ids) 17A - -
针脚数 - - 3
上升时间 - - 7 ns
下降时间 - - 18 ns
长度 - 10.4 mm 6.6 mm
宽度 - 4.6 mm 2.4 mm
高度 - 15.75 mm 6.9 mm
封装 TO-262-3 TO-220-3 TO-251-3
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
材质 Silicon - -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2014/06/16 - 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99