对比图
型号 IRF7205PBF STS5PF30L IRF7205TRPBF
描述 INTERNATIONAL RECTIFIER IRF7205PBF 场效应管, P通道, MOSFET, -30V, 4.6A, SOIC 新P 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsINFINEON IRF7205TRPBF 场效应管, MOSFET
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) -30.0 V -30.0 V -
额定电流 -5.30 A -5.00 A -
针脚数 8 - -
漏源极电阻 70 mΩ 0.045 Ω 0.13 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W
产品系列 IRF7205 - -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 -30.0 V 30.0 V 30 V
连续漏极电流(Ids) -4.60 A 5.00 A 4.6A
上升时间 21 ns 35 ns 21 ns
输入电容(Ciss) 870pF @10V(Vds) 1350pF @25V(Vds) 870pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W 2.5 W
下降时间 71 ns 35 ns 71 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 2500 mW 2500 mW 2.5W (Tc)
阈值电压 - 1.6 V 3 V
栅源击穿电压 - ±16.0 V -
额定功率 - - 2.5 W
通道数 - - 1
输入电容 - - 870 pF
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
长度 - 5 mm 5 mm
宽度 - 4 mm 3.9 mm
高度 - 1.25 mm 1.75 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17 -