FDMS2672和FDS2170N3

对比图

型号 FDMS2672 FDS2170N3 FDS2170N7

描述 UltraFET® MOSFET，Fairchild SemiconductorUItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量，且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS（接通）、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。 应用：高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。200V N沟道的PowerTrench MOSFET剖 200V N-Channel PowerTrench剖 MOSFET200V N沟道PowerTrench MOSFET的 200V N-Channel PowerTrench MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 Power-56-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) 200 V 200 V 200 V

额定电流 3.70 A 3.00 A 3.00 A

通道数 1 1 -

漏源极电阻 0.064 Ω 128 mΩ 128 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 3 W 3W (Ta)

阈值电压 3.1 V - -

输入电容 2.31 nF - -

栅电荷 42.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

漏源击穿电压 200 V 200 V 200 V

栅源击穿电压 200 V ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 3.70 A 3.00 A 3.00 A

上升时间 11 ns 5 ns 5.00 ns

输入电容(Ciss) 2315pF @100V(Vds) 1292pF @100V(Vds) 1292pF @100V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 1.8 W 1.8 W

下降时间 10 ns 23 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -

耗散功率(Max) 78 W 3W (Ta) 3W (Ta)

长度 5 mm 4.9 mm -

宽度 6 mm 3.9 mm -

高度 0.75 mm 1.75 mm -

封装 Power-56-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99