对比图
型号 PD57018STR-E PD57018TR-E PD57018S-E
描述 RF功率晶体管， LDMOST塑料家族的N沟道增强模式，横向MOSFET的 RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETsRF功率晶体管， LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF power transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETsRF功率晶体管， LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF power transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 晶体管晶体管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 PowerSO-10RF PowerSO-10RF PowerSO-10RF-2
频率 945 MHz 945 MHz 945 MHz
耗散功率 31700 mW 31700 mW 31.7 W
漏源极电压(Vds) - 65 V 65.0 V
输出功率 18 W 18 W 18 W
增益 16.5 dB 16.5 dB 16.5 dB
测试电流 100 mA 100 mA 100 mA
输入电容(Ciss) 34.5pF @28V(Vds) 34.5pF @28V(Vds) 34.5pF @28V(Vds)
工作温度(Max) 165 ℃ 165 ℃ 165 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 31700 mW 31700 mW 31700 mW
额定电压 65 V 65 V 65 V
额定电流 2.5 A - 2.5 A
额定电压(DC) - - 65.0 V
通道数 - - 1
漏源极电阻 - - 760 mΩ
极性 - - N-Channel
漏源击穿电压 - - 65 V
连续漏极电流(Ids) - - 2.50 A
封装 PowerSO-10RF PowerSO-10RF PowerSO-10RF-2
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
工作温度 -65℃ ~ 165℃ - -65℃ ~ 165℃