对比图
型号 IRFR5410PBF IRFR5410TRPBF IRFR5410TRLPBF
描述 INFINEON IRFR5410PBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 13 A, -100 V, 205 mohm, -10 V, -4 VHEXFET® P 通道功率 MOSFET，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 P 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。晶体管, MOSFET, P沟道, -13 A, -100 V, 0.205 ohm, -10 V, -4 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定功率 66 W 66 W 66 W
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.205 Ω 0.205 Ω 0.205 Ω
极性 P-Channel P-CH P-Channel
耗散功率 66 W 66 W 66 W
输入电容 - - 760 pF
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 13A 13A 13A
上升时间 58 ns 58 ns 58 ns
输入电容(Ciss) 760pF @25V(Vds) 760pF @25V(Vds) 760pF @25V(Vds)
下降时间 46 ns 46 ns 46 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
耗散功率(Max) 66W (Tc) 66W (Tc) 66W (Tc)
通道数 1 - -
阈值电压 4 V 4 V -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
额定功率(Max) - 66 W -
长度 6.73 mm 6.73 mm 6.73 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
宽度 2.39 mm 6.22 mm -
高度 6.22 mm 2.39 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 Silicon Silicon -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -