对比图
型号 IPD80R1K0CEATMA1 IPD80R1K0CEBTMA1
描述 INFINEON IPD80R1K0CEATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.7 A, 800 V, 0.8 ohm, 10 V, 3 V 新DPAK N-CH 800V 5.7A
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3
通道数 1 1
漏源极电阻 0.8 Ω 800 mΩ
极性 N-Channel N-CH
耗散功率 83 W 83 W
阈值电压 3 V 2.1 V
漏源极电压(Vds) 800 V 800 V
漏源击穿电压 800 V 800 V
连续漏极电流(Ids) 5.7A 5.7A
上升时间 15 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 785pF @100V(Vds) 785pF @100V(Vds)
额定功率(Max) - 83 W
下降时间 8 ns 8 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 83 W 83W (Tc)
额定功率 83 W -
针脚数 3 -
长度 6.73 mm 6.5 mm
宽度 6.22 mm 6.22 mm
高度 2.41 mm 2.3 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 -