PDTC115TE,115和PDTC115EE,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PDTC115TE,115 PDTC115EE,115 BZX84-C5V1

描述 NXP  PDTC115TE,115  单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 150 mW, 100 mA, 100 hFENXP  PDTC115EE,115  单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 150 mW, 100 mA, 80 hFENXP  BZX84-C5V1  单管二极管 齐纳, 5.1 V, 250 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-416-3 SOT-416-3 SOT-23

针脚数 3 3 3

极性 NPN NPN -

耗散功率 150 mW 150 mW 250 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V -

集电极最大允许电流 100mA 20mA -

最小电流放大倍数(hFE) 100 @1mA, 5V 80 @5mA, 5V -

额定功率(Max) 150 mW 150 mW -

直流电流增益(hFE) 100 80 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 150 mW 150 mW -

额定电压(DC) - - 5.10 V

额定功率 - - 350 mW

击穿电压 - - 5.10 V

稳压值 - - 5.1 V

长度 1.8 mm 1.8 mm -

宽度 0.9 mm 0.9 mm -

高度 0.85 mm 0.85 mm -

封装 SOT-416-3 SOT-416-3 SOT-23

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

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