ZTX614和ZTX757

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ZTX614 ZTX757 BC549C

描述 ZTX614 系列 100 V 0.8 A NPN 硅 平面 中等功率 达林顿晶体管DIODES INC.  ZTX757  单晶体管 双极, PNP, 300 V, 30 MHz, 1 W, 500 mA, 50 hFETrans GP BJT NPN 30V 0.1A 3Pin TO-92 Bulk

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 E-Line-3 E-Line-3 TO-226-3

额定电压(DC) 100 V -300 V 30.0 V

额定电流 800 mA -500 mA 100 mA

针脚数 3 3 -

极性 NPN PNP NPN

耗散功率 1 W 1 W 500 mW

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 300 V 30 V

最小电流放大倍数(hFE) 10000 @500mA, 5V 50 @100mA, 5V 420 @2mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) 5000 - -

额定功率(Max) 1 W 1 W 500 mW

直流电流增益(hFE) 10000 50 110

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 65 ℃

耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW -

增益频宽积 - - 300 MHz

频率 - 30 MHz -

集电极最大允许电流 - 0.5A -

长度 4.77 mm - 5.2 mm

宽度 2.41 mm - 4.19 mm

高度 4.01 mm - 5.33 mm

封装 E-Line-3 E-Line-3 TO-226-3

工作温度 -55℃ ~ 200℃ (TJ) -55℃ ~ 200℃ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Bulk Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2014/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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