对比图
型号 AUIRF7759L2TR IRF7779L2TRPBF IRF7749L2TRPBF
描述 INFINEON AUIRF7759L2TR 晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 160 A, 75 V, 0.0018 ohm, 10 V, 3 V 新INFINEON IRF7779L2TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 67 A, 150 V, 0.009 ohm, 10 V, 4 V 新INFINEON IRF7749L2TRPBF 场效应管, MOSFET, N沟道
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 15 15 8
封装 Direct-FET Direct-FET Direct-FET
额定功率 - 125 W 125 W
通道数 - - 1
针脚数 15 15 8
漏源极电阻 0.0018 Ω 0.009 Ω 0.0011 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 125 W 125 W 3.3 W
阈值电压 3 V 4 V 2.9 V
输入电容 - 6660 pF 12320 pF
漏源极电压(Vds) 75 V 150 V 60 V
漏源击穿电压 - - 60 V
连续漏极电流(Ids) 160A 67A 33A
上升时间 37 ns 19 ns 43 ns
输入电容(Ciss) 12222pF @25V(Vds) 6660pF @25V(Vds) 12320pF @25V(Vds)
下降时间 300 ns 12 ns 39 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 3.3W (Ta), 125W (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc)
长度 9.15 mm - 9.15 mm
宽度 7.1 mm - 7.1 mm
高度 0.74 mm - 0.74 mm
封装 Direct-FET Direct-FET Direct-FET
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - -