SMBTA56E6327HTSA1和SMBTA56E6433HTMA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SMBTA56E6327HTSA1 SMBTA56E6433HTMA1 MMBTA56LT1HTSA1

描述 Infineon SMBTA56E6327HTSA1 , PNP 晶体管, 500 mA, Vce=80 V, HFE:100, 3引脚 SOT-23封装Infineon SMBTA56E6433HTMA1 , PNP 晶体管, 500 mA, Vce=80 V, HFE:100, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 100 MHz - 100 MHz

额定电压(DC) -80.0 V -80.0 V -80.0 V

额定电流 -500 mA -500 mA -800 mA

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 330 mW - 0.33 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @100mA, 1V 100 @100mA, 1V 100 @100mA, 1V

额定功率(Max) 330 mW 330 mW 330 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 330 mW 330 mW 330 mW

长度 2.9 mm 2.9 mm -

宽度 1.3 mm 1.3 mm -

高度 0.9 mm 0.9 mm -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not For New Designs Last Time Buy

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99

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