对比图
型号 IPP08CN10LG IPP08CN10NG STP60N3LH5
描述 OptiMOS2功率三极管 OptiMOS2 Power-TransistorOptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-TransistorN沟道30 V ， 0.0072 Ω ， 48采用DPAK ， IPAK ， TO- 220的STripFET ™ V功率MOSFET N-channel 30 V, 0.0072 Ω, 48 A DPAK, IPAK, TO-220 STripFET™ V Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220 TO-220 TO-220-3
极性 N-Channel N-Channel -
耗散功率 167 W 167 W 60 W
额定电压(DC) - 100 V -
额定电流 - 95.0 A -
输入电容 - 6.66 nF -
栅电荷 - 100 nC -
漏源极电压(Vds) - 100 V 30 V
连续漏极电流(Ids) - 95.0 A -
输入电容(Ciss) - 6660pF @50V(Vds) 1350pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 167 W 60 W
通道数 - - 1
漏源极电阻 - - 7.2 mΩ
阈值电压 - - 3 V
漏源击穿电压 - - 30 V
上升时间 - - 33 ns
下降时间 - - 4.2 ns
工作温度(Max) - - 175 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
耗散功率(Max) - - 60W (Tc)
封装 TO-220 TO-220 TO-220-3
产品生命周期 Obsolete Obsolete Active
包装方式 Tube, Rail Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
工作温度 - - -55℃ ~ 175℃ (TJ)